창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MSRTA60080(A) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MSRTA60060 thru 600100(A) Three Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 800V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 600A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 600A | |
| 속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 600V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 3 타워형 | |
| 공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MSRTA60080(A)GN MSRTA60080A | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MSRTA60080(A) | |
| 관련 링크 | MSRTA60, MSRTA60080(A) 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | RFCS04022700BJTT1 | 27pF Silicon Capacitor 10V 0402 (1005 Metric) 0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm) | RFCS04022700BJTT1.pdf | |
![]() | AC1210JR-07220RL | RES SMD 220 OHM 5% 1/2W 1210 | AC1210JR-07220RL.pdf | |
![]() | MBA02040C4128FRP00 | RES 4.12 OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C4128FRP00.pdf | |
![]() | CMF65100R00FEBF | RES 100 OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF65100R00FEBF.pdf | |
![]() | ADS574KE | ADS574KE BB DIP-28 | ADS574KE.pdf | |
![]() | TAR8D04K(TE85L,F) | TAR8D04K(TE85L,F) TOSHIBA SMD or Through Hole | TAR8D04K(TE85L,F).pdf | |
![]() | IROG | IROG IROG QFP | IROG.pdf | |
![]() | M54123LK-B2 | M54123LK-B2 UTC SIP-8 | M54123LK-B2.pdf | |
![]() | CML252016-R68M | CML252016-R68M BOURNS SMD | CML252016-R68M.pdf | |
![]() | A1A4M TO92S | A1A4M TO92S NEC SMD or Through Hole | A1A4M TO92S.pdf | |
![]() | TN0200K-T1- | TN0200K-T1- Vishay SMD or Through Hole | TN0200K-T1-.pdf | |
![]() | RK14K1220024 | RK14K1220024 ALPS SMD or Through Hole | RK14K1220024.pdf |