홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 다이오드, 정류기 - 어레이 » MSRT20060(A)D

GeneSiC Semiconductor MSRT20060(A)D

MSRT20060(A)D
제조업체 부품 번호
MSRT20060(A)D
제조업 자
제품 카테고리
다이오드, 정류기 - 어레이
간단한 설명
DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
데이터 시트 다운로드
다운로드
MSRT20060(A)D 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 65,050.12000
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 MSRT20060(A)D 재고가 있습니다. 우리는 GeneSiC Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 GeneSiC Semiconductor 전자 부품 전문. MSRT20060(A)D 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. MSRT20060(A)D가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
MSRT20060(A)D 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
MSRT20060(A)D 매개 변수
내부 부품 번호EIS-MSRT20060(A)D
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MSRT20060(A)D thru MSRT200100(A)D
종류이산 소자 반도체 제품
제품군다이오드, 정류기 - 어레이
제조업체GeneSiC Semiconductor
계열-
포장벌크
부품 현황유효
다이오드 구성직렬 연결 1쌍
다이오드 유형표준
전압 - DC 역방향(Vr)(최대)600V
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당)200A
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If1.1V @ 200A
속도표준 회복 >500ns, > 200mA(Io)
역회복 시간(trr)-
전류 - 역누설 @ Vr10µA @ 600V
실장 유형섀시 실장
패키지/케이스3 타워형
공급 장치 패키지3 타워형
표준 포장 25
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)MSRT20060(A)D
관련 링크MSRT200, MSRT20060(A)D 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통
MSRT20060(A)D 의 관련 제품
0.047µF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Metallized Radial 0.492" L x 0.177" W (12.50mm x 4.50mm) BFC236845473.pdf
OSC XO 3.3V 62MHZ OE SIT8008AI-12-33E-62.000000D.pdf
HERMETIC THERMOSTAT 310000450851.pdf
EL2150CN8 ELANTEC DIP8 EL2150CN8.pdf
315MXR330M25X40 RUBYCON DIP 315MXR330M25X40.pdf
HA7-2311-5 HARRIS CDIP8 HA7-2311-5.pdf
RC0201JR-07 10R YAGEO SMD or Through Hole RC0201JR-07 10R.pdf
RG828BHES QE58 INTEL BGA RG828BHES QE58.pdf
24W01FB6 STM DIP-8 24W01FB6.pdf
3006BDS6 ORIGINAL TSSOP10 3006BDS6.pdf
TD115F13KSC EUPEC MODULE TD115F13KSC.pdf
MRF6S010GNR FSL SMD or Through Hole MRF6S010GNR.pdf