창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MSDM75-12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MSDM75 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 브리지 정류기 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 3상 | |
| 전압 - 피크 역(최대) | 1200V | |
| 전류 - DC 순방향(If) | 75A | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 모듈 | |
| 공급 장치 패키지 | M2-1 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MSDM75-12 | |
| 관련 링크 | MSDM7, MSDM75-12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D201MLXAR | 200pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D201MLXAR.pdf | |
![]() | SR592A222JARTR1 | 2200pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR592A222JARTR1.pdf | |
![]() | 3N258-E4/51 | DIODE BRIDGE 2A 800V 4SIP | 3N258-E4/51.pdf | |
![]() | A1121ELHLT-T | SENSOR HALL EFFECT UNIPLR SOT23W | A1121ELHLT-T.pdf | |
![]() | W83795ADG REV:C | W83795ADG REV:C NUVOTON SMD | W83795ADG REV:C.pdf | |
![]() | 4700UF400V(450) | 4700UF400V(450) ORIGINAL SMD or Through Hole | 4700UF400V(450).pdf | |
![]() | 2SA812-T1B-A/M7 | 2SA812-T1B-A/M7 Renesas SMD or Through Hole | 2SA812-T1B-A/M7.pdf | |
![]() | HM628128LFP-7/8SL | HM628128LFP-7/8SL RENESASELECTRONIC SMD or Through Hole | HM628128LFP-7/8SL.pdf | |
![]() | 98DXN06-B0-LKJ-C000 | 98DXN06-B0-LKJ-C000 MARVELL SMD or Through Hole | 98DXN06-B0-LKJ-C000.pdf | |
![]() | S3C70F4X71-AVB4 | S3C70F4X71-AVB4 SAMSUNG DIP | S3C70F4X71-AVB4.pdf | |
![]() | SiS5511F2CT-F-0 | SiS5511F2CT-F-0 SiS PQFP | SiS5511F2CT-F-0.pdf | |
![]() | RY232005 | RY232005 ORIGINAL DIP | RY232005.pdf |