창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MSDM100-18 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MSDM100 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 브리지 정류기 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 3상 | |
| 전압 - 피크 역(최대) | 1800V | |
| 전류 - DC 순방향(If) | 100A | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 모듈 | |
| 공급 장치 패키지 | M2-1 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MSDM100-18 | |
| 관련 링크 | MSDM10, MSDM100-18 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | SS2H9-M3/5BT | DIODE SCHOTTKY 2A 90V DO-214AA | SS2H9-M3/5BT.pdf | |
![]() | LQW18AN51NJ00D | 51nH Unshielded Wirewound Inductor 370mA 330 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | LQW18AN51NJ00D.pdf | |
![]() | 1020B5812-01 | 1020B5812-01 GIGAANT SMD or Through Hole | 1020B5812-01.pdf | |
![]() | PESD5V0S1UB/DG.115 | PESD5V0S1UB/DG.115 NXP SMD or Through Hole | PESD5V0S1UB/DG.115.pdf | |
![]() | SI4433BM | SI4433BM ORIGINAL QFN | SI4433BM.pdf | |
![]() | 205860-1 | 205860-1 AMP SMD or Through Hole | 205860-1.pdf | |
![]() | RD47S-T1G | RD47S-T1G NEC SC-76 | RD47S-T1G.pdf | |
![]() | TC200E0804AF01 | TC200E0804AF01 TOSHIBA TOSHIBA | TC200E0804AF01.pdf | |
![]() | FMX-16S | FMX-16S ORIGINAL TO-220F | FMX-16S.pdf | |
![]() | A1383ELHLT- | A1383ELHLT- ALLEGRO SMD or Through Hole | A1383ELHLT-.pdf | |
![]() | LV1001MA | LV1001MA SANYO SOP-10P | LV1001MA.pdf | |
![]() | 76123S | 76123S ORIGINAL TO-263 | 76123S.pdf |