창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MRF8HP21080HSR3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | Freescale Semiconductor - NXP | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS(이중) | |
| 주파수 | 2.17GHz | |
| 이득 | 14.4dB | |
| 전압 - 테스트 | 28V | |
| 정격 전류 | - | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 150mA | |
| 전력 - 출력 | 16W | |
| 전압 - 정격 | 65V | |
| 패키지/케이스 | NI-780S-4 | |
| 공급 장치 패키지 | NI-780S-4 | |
| 표준 포장 | 250 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MRF8HP21080HSR3 | |
| 관련 링크 | MRF8HP210, MRF8HP21080HSR3 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
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![]() | 416F2501XASR | 25MHz ±10ppm 수정 시리즈 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F2501XASR.pdf | |
![]() | H11AA1S(TA) | Optoisolator Transistor with Base Output 5000Vrms 1 Channel 6-SMD | H11AA1S(TA).pdf | |
![]() | SN54HC75F3A | SN54HC75F3A ORIGINAL DIP | SN54HC75F3A.pdf | |
![]() | STi5519-AVA | STi5519-AVA ST SMD or Through Hole | STi5519-AVA.pdf | |
![]() | Y342ST1L | Y342ST1L ORIGINAL BGA | Y342ST1L.pdf | |
![]() | BB0141 | BB0141 ORIGINAL SOP | BB0141.pdf | |
![]() | MMBD1604A | MMBD1604A ORIGINAL SOT-23 | MMBD1604A.pdf | |
![]() | 74LVC08ADB-T | 74LVC08ADB-T PHI SSOP | 74LVC08ADB-T.pdf | |
![]() | RF2132TR13E | RF2132TR13E RFMICRO SMD or Through Hole | RF2132TR13E.pdf | |
![]() | AD8018BR | AD8018BR AD SOP8 | AD8018BR.pdf |