창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MRF7S21150HSR3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MRF7S21150HR3/HSR3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | Freescale Semiconductor - NXP | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS | |
| 주파수 | 2.11GHz ~ 2.17GHz | |
| 이득 | 17.5dB | |
| 전압 - 테스트 | 28V | |
| 정격 전류 | - | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 1.35A | |
| 전력 - 출력 | 44W | |
| 전압 - 정격 | 65V | |
| 패키지/케이스 | NI-780S | |
| 공급 장치 패키지 | NI-780S | |
| 표준 포장 | 250 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MRF7S21150HSR3 | |
| 관련 링크 | MRF7S211, MRF7S21150HSR3 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | IMC1210BN1R0J | 1µH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 700 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | IMC1210BN1R0J.pdf | |
![]() | RT1206CRC07332RL | RES SMD 332 OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRC07332RL.pdf | |
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![]() | IDT71016-S20YGI | IDT71016-S20YGI IDT SMD or Through Hole | IDT71016-S20YGI.pdf | |
![]() | TO-D1206BC-UBF | TO-D1206BC-UBF OASIS ROHS | TO-D1206BC-UBF.pdf | |
![]() | UGF09100FE | UGF09100FE ORIGINAL SMD or Through Hole | UGF09100FE.pdf | |
![]() | 5962-8500401EA | 5962-8500401EA ORIGINAL CDIP16 | 5962-8500401EA.pdf | |
![]() | TDA6108JF/N1 ROHS | TDA6108JF/N1 ROHS PHIL SMD or Through Hole | TDA6108JF/N1 ROHS.pdf | |
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