창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MRF6VP41KHR5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MRF6VP41KH(S)R6 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | Freescale Semiconductor - NXP | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS(이중) | |
주파수 | 450MHz | |
이득 | 20dB | |
전압 - 테스트 | 50V | |
정격 전류 | - | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 150mA | |
전력 - 출력 | 1000W | |
전압 - 정격 | 110V | |
패키지/케이스 | NI-1230 | |
공급 장치 패키지 | NI-1230 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MRF6VP41KHR5 | |
관련 링크 | MRF6VP4, MRF6VP41KHR5 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
TACR336K003X | 33µF Molded Tantalum Capacitors 3V 0805 (2012 Metric) 5 Ohm 0.079" L x 0.053" W (2.00mm x 1.35mm) | TACR336K003X.pdf | ||
GL286F33CET | 28.63636MHz ±30ppm 수정 20pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL286F33CET.pdf | ||
Y1453120R000B9L | RES 120 OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y1453120R000B9L.pdf | ||
RA2-50V222MJ8 | RA2-50V222MJ8 ELNA DIP | RA2-50V222MJ8.pdf | ||
IDT70V658S12BC | IDT70V658S12BC IDT BGAZ | IDT70V658S12BC.pdf | ||
NCP502SN34T1G | NCP502SN34T1G ON SMD or Through Hole | NCP502SN34T1G.pdf | ||
DNI4557IJ | DNI4557IJ ORIGINAL SMD or Through Hole | DNI4557IJ.pdf | ||
MS3501BGB02R180 | MS3501BGB02R180 Qwave-P SOT23-5 | MS3501BGB02R180.pdf | ||
HH4-2264 | HH4-2264 CANON DIP64 | HH4-2264.pdf | ||
PM25LV020A-100SCE | PM25LV020A-100SCE PMC sop8 | PM25LV020A-100SCE.pdf | ||
RSL-1.5V | RSL-1.5V SDS SMD or Through Hole | RSL-1.5V.pdf |