창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MRF6V3090NBR5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MRF6V3090NBRx,NRx | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | Freescale Semiconductor - NXP | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS | |
| 주파수 | 860MHz | |
| 이득 | 22dB | |
| 전압 - 테스트 | 50V | |
| 정격 전류 | - | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 350mA | |
| 전력 - 출력 | 18W | |
| 전압 - 정격 | 110V | |
| 패키지/케이스 | TO-272BB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-272 WB-4 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | MRF6V3090NBR5-ND MRF6V3090NBR5TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MRF6V3090NBR5 | |
| 관련 링크 | MRF6V30, MRF6V3090NBR5 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | 3KASMC36AHM3_A/I | TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO214AB | 3KASMC36AHM3_A/I.pdf | |
![]() | 200E2001TB71 | 200E2001TB71 LUCENT BGA | 200E2001TB71.pdf | |
![]() | MSM5000176FBGT-MT | MSM5000176FBGT-MT QUALCO 50TRAY | MSM5000176FBGT-MT.pdf | |
![]() | NQ82910GML QI80ES | NQ82910GML QI80ES INTEL BGA | NQ82910GML QI80ES.pdf | |
![]() | AP05N50H-HFTR | AP05N50H-HFTR APEC SMD or Through Hole | AP05N50H-HFTR.pdf | |
![]() | IR830PBF | IR830PBF IR SMD or Through Hole | IR830PBF.pdf | |
![]() | CRD10RM0AK | CRD10RM0AK CRK/ITT SMD or Through Hole | CRD10RM0AK.pdf | |
![]() | 2SC210 | 2SC210 T/NEC CAN | 2SC210.pdf | |
![]() | HCS365T/SM | HCS365T/SM MICROCHIP SOIC | HCS365T/SM.pdf | |
![]() | FLA103 | FLA103 EXAR DIP-40 | FLA103.pdf | |
![]() | 16MCZ1000MCR10X16 | 16MCZ1000MCR10X16 RUBYCON DIP | 16MCZ1000MCR10X16.pdf |