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NXP Semiconductors MRF6S20010GNR1

MRF6S20010GNR1
제조업체 부품 번호
MRF6S20010GNR1
제조업 자
제품 카테고리
RF FET
간단한 설명
FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2 GW
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내부 부품 번호EIS-MRF6S20010GNR1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)3(168시간)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MRF6S20010NR1,GNR1
종류이산 소자 반도체 제품
제품군RF FET
제조업체Freescale Semiconductor - NXP
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.17GHz
이득15.5dB
전압 - 테스트28V
정격 전류-
잡음 지수-
전류 - 테스트130mA
전력 - 출력10W
전압 - 정격68V
패키지/케이스TO-270-2 갈매기날개
공급 장치 패키지TO-270-2 GULL
표준 포장 500
다른 이름MRF6S20010GNR1-ND
MRF6S20010GNR1TR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)MRF6S20010GNR1
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