창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-MR27V1602D-C3MAZ060 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | MR27V1602D-C3MAZ060 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SOP44 | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | MR27V1602D-C3MAZ060 | |
관련 링크 | MR27V1602D-, MR27V1602D-C3MAZ060 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | MKP383430250JPI5T0 | 0.3µF Film Capacitor 900V 2500V (2.5kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.654" L x 1.181" W (42.00mm x 30.00mm) | MKP383430250JPI5T0.pdf | |
![]() | B82432T1473K | 47µH Unshielded Wirewound Inductor 350mA 1.35 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | B82432T1473K.pdf | |
![]() | CRCW201051R0JNEF | RES SMD 51 OHM 5% 3/4W 2010 | CRCW201051R0JNEF.pdf | |
![]() | AT-310(40) | RF Attenuator 10dB ±1.25dB 0 ~ 18GHz 50 Ohm 1W SMA In-Line Module | AT-310(40).pdf | |
![]() | NOIV1SE012KA-GDI | CMOS Image Sensor 4096H x 4096V 4.5µm x 4.5µm 355-µPGA | NOIV1SE012KA-GDI.pdf | |
![]() | UPD6379AGR-E1 | UPD6379AGR-E1 NEC SOP8 | UPD6379AGR-E1.pdf | |
![]() | SN21750P | SN21750P ORIGINAL DIP8 | SN21750P.pdf | |
![]() | 7704501FA | 7704501FA NONE MIL | 7704501FA.pdf | |
![]() | PTE20250 | PTE20250 ORIGINAL SMD or Through Hole | PTE20250.pdf | |
![]() | F5CQ-881M50-B25R-K(2.0*2.5) | F5CQ-881M50-B25R-K(2.0*2.5) FUJUTSU SMD or Through Hole | F5CQ-881M50-B25R-K(2.0*2.5).pdf | |
![]() | S80C186XL12 | S80C186XL12 INIEL QFP | S80C186XL12.pdf | |
![]() | M51411P | M51411P MITSUBIS DIP | M51411P.pdf |