창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MNR18E0APJ302 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MNR18 Series | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 저항기 네트워크, 어레이 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | MNR | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 회로 유형 | 절연 | |
| 저항(옴) | 3k | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 저항기 개수 | 8 | |
| 핀 개수 | 16 | |
| 소자별 전력 | 62.5mW | |
| 온도 계수 | ±200ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 1506, 볼록형, 장측 단자 | |
| 공급 장치 패키지 | - | |
| 크기/치수 | 0.150" L x 0.063" W(3.80mm x 1.60mm) | |
| 높이 | 0.022"(0.55mm) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | MNR18302TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MNR18E0APJ302 | |
| 관련 링크 | MNR18E0, MNR18E0APJ302 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | TSA89F23CET | 8.912MHz ±20ppm 수정 20pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TSA89F23CET.pdf | |
![]() | SIT3808AI-G2-18NH-26.000000Y | OSC XO 1.8V 26MHZ NC | SIT3808AI-G2-18NH-26.000000Y.pdf | |
![]() | XPGBWT-01-0000-00EC1 | LED Lighting XLamp® XP-G2 White, Cool 5000K 2.9V 350mA 125° 2-SMD, No Lead, Exposed Pad | XPGBWT-01-0000-00EC1.pdf | |
![]() | LM40401DIM3X-1.2 | LM40401DIM3X-1.2 NSC SOT23-3 | LM40401DIM3X-1.2.pdf | |
![]() | S6A0069X34-C0CX | S6A0069X34-C0CX SAMSUNG SMD or Through Hole | S6A0069X34-C0CX.pdf | |
![]() | TPS77030DBV | TPS77030DBV TI SOT23-5 | TPS77030DBV.pdf | |
![]() | XR215ACD/D | XR215ACD/D XR SOP | XR215ACD/D.pdf | |
![]() | RJJ-25V221MG4-T2# | RJJ-25V221MG4-T2# ELNA SMD or Through Hole | RJJ-25V221MG4-T2#.pdf | |
![]() | MB660510U | MB660510U ORIGINAL QFP | MB660510U.pdf | |
![]() | BB148. | BB148. NXP SMD or Through Hole | BB148..pdf | |
![]() | XC4010XLBG256 | XC4010XLBG256 Xilinx BGA | XC4010XLBG256.pdf | |
![]() | RN60E2500BRE6 | RN60E2500BRE6 DAL SMD or Through Hole | RN60E2500BRE6.pdf |