창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMSZ9V1T1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMSZyyyT1G, SZMMSZyyyT1G Series | |
| PCN 설계/사양 | Copper Wire 08/Jun/2009 | |
| PCN 조립/원산지 | SOD-123 Package Assembly Site Transfer 29/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MMSZ9V1T1G-ND MMSZ9V1T1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMSZ9V1T1G | |
| 관련 링크 | MMSZ9V, MMSZ9V1T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | ERJ-PA3J914V | RES SMD 910K OHM 5% 1/4W 0603 | ERJ-PA3J914V.pdf | |
![]() | RG1608N-164-D-T5 | RES SMD 160K OHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608N-164-D-T5.pdf | |
![]() | 1263-3.3 | 1263-3.3 MIC SOP8 | 1263-3.3.pdf | |
![]() | 3PLZ1C2521 | 3PLZ1C2521 ORIGINAL PLCC | 3PLZ1C2521.pdf | |
![]() | LD2980AB30TR | LD2980AB30TR SGS-Thomson SOT23-5 | LD2980AB30TR.pdf | |
![]() | AT27LV040A-90VI | AT27LV040A-90VI ATMEL TSSOP | AT27LV040A-90VI.pdf | |
![]() | PX0921/04/P | PX0921/04/P BULGIN SMD or Through Hole | PX0921/04/P.pdf | |
![]() | 0805N180J500NT | 0805N180J500NT EDEN 0805-18P50VNPO | 0805N180J500NT.pdf | |
![]() | ECHU1C222JA5 | ECHU1C222JA5 PAN SMD or Through Hole | ECHU1C222JA5.pdf | |
![]() | STCD362112 | STCD362112 SOIC- ST | STCD362112.pdf | |
![]() | SMA0207-25-1K0-0,25%-A5 | SMA0207-25-1K0-0,25%-A5 DRA SMD or Through Hole | SMA0207-25-1K0-0,25%-A5.pdf | |
![]() | V58047 | V58047 N PLCC68 | V58047.pdf |