창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMSZ5251BT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MMSZ52zzzT1G, SZMMSZ52zzzT1G Series | |
PCN 설계/사양 | Copper Wire 08/Jun/2009 | |
PCN 조립/원산지 | SOD-123 Package Assembly Site Transfer 29/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1559 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 22V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 29옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 17V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123 | |
공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | MMSZ5251BT1GOS MMSZ5251BT1GOS-ND MMSZ5251BT1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MMSZ5251BT1G | |
관련 링크 | MMSZ525, MMSZ5251BT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
GJM1555C1H5R0CB01D | 5pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GJM1555C1H5R0CB01D.pdf | ||
CIH10T39NJNC | 39nH Unshielded Multilayer Inductor 400mA 600 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | CIH10T39NJNC.pdf | ||
H8162RBZA | RES 162 OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H8162RBZA.pdf | ||
SRCN1A16-10S | SRCN1A16-10S JAE SMD or Through Hole | SRCN1A16-10S.pdf | ||
G96-INT-A1 | G96-INT-A1 nVIDIA BGA | G96-INT-A1.pdf | ||
S11MA01 | S11MA01 SHARP DIP5 | S11MA01.pdf | ||
STI5518QC | STI5518QC STM SMD or Through Hole | STI5518QC.pdf | ||
MAX3314EESA | MAX3314EESA Maxim SOP-8 | MAX3314EESA.pdf | ||
2SC5591 | 2SC5591 PAN TO3P | 2SC5591.pdf | ||
SL255 | SL255 INFINEON DIP-6 | SL255.pdf | ||
DW-10-11-F-D-700 | DW-10-11-F-D-700 ORIGINAL SMD or Through Hole | DW-10-11-F-D-700.pdf | ||
TDA12021H/NF3F | TDA12021H/NF3F TDA SMD or Through Hole | TDA12021H/NF3F.pdf |