창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMSZ5231B-G3-18 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MMSZ5225-G thru MMSZ5267-G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.1V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 17옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123 | |
공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
표준 포장 | 10,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MMSZ5231B-G3-18 | |
관련 링크 | MMSZ5231B, MMSZ5231B-G3-18 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | NTB6413ANT4G | MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK | NTB6413ANT4G.pdf | |
![]() | CRCW20103R60JNTF | RES SMD 3.6 OHM 5% 3/4W 2010 | CRCW20103R60JNTF.pdf | |
![]() | RNF18FTD120R | RES 120 OHM 1/8W 1% AXIAL | RNF18FTD120R.pdf | |
![]() | SG-8002JA66.666700MHZ | SG-8002JA66.666700MHZ EPSON SMD-4 | SG-8002JA66.666700MHZ.pdf | |
![]() | S2N2906AUA | S2N2906AUA MICROSEMI SMD | S2N2906AUA.pdf | |
![]() | C2012C-R68G | C2012C-R68G SAGAMI O805 | C2012C-R68G.pdf | |
![]() | 251M6301476R0S | 251M6301476R0S MATSUO P | 251M6301476R0S.pdf | |
![]() | 0805-FFPW1A25 | 0805-FFPW1A25 ESKA SMD or Through Hole | 0805-FFPW1A25.pdf | |
![]() | TL77858CP | TL77858CP TI DIP9 | TL77858CP.pdf | |
![]() | LGHK2125 5N6S-T | LGHK2125 5N6S-T ORIGINAL SMD or Through Hole | LGHK2125 5N6S-T.pdf |