창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMSZ5223BT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMSZ52zzzT1G, SZMMSZ52zzzT1G Series | |
| PCN 설계/사양 | Copper Wire 08/Jun/2009 | |
| PCN 조립/원산지 | SOD-123 Package Assembly Site Transfer 29/Aug/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1558 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 2.7V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 30옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 75µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MMSZ5223BT1GOS MMSZ5223BT1GOS-ND MMSZ5223BT1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMSZ5223BT1G | |
| 관련 링크 | MMSZ522, MMSZ5223BT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | NZ9F12VT5G | DIODE ZENER 12V 200MW SOD923 | NZ9F12VT5G.pdf | |
![]() | MLF1608E5R6JT000 | 5.6µH Shielded Multilayer Inductor 15mA 1.1 Ohm Max 0603 (1608 Metric) | MLF1608E5R6JT000.pdf | |
![]() | CMF5510R700FHEB | RES 10.7 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5510R700FHEB.pdf | |
![]() | HBD060ZGE-A8 | HBD060ZGE-A8 IPD SMD or Through Hole | HBD060ZGE-A8.pdf | |
![]() | M34302M8-535 | M34302M8-535 MIT DIP | M34302M8-535.pdf | |
![]() | KTY82/220-T-CT | KTY82/220-T-CT NXP SMD or Through Hole | KTY82/220-T-CT.pdf | |
![]() | ECQ-U2A104MX | ECQ-U2A104MX PANASONIC SMD or Through Hole | ECQ-U2A104MX.pdf | |
![]() | MB88306P | MB88306P FUJITSU DIP | MB88306P.pdf | |
![]() | DP8400N-2 | DP8400N-2 NSC DIP48 | DP8400N-2.pdf | |
![]() | BTA216-600B | BTA216-600B PHI TO220AB | BTA216-600B .pdf | |
![]() | VC45100-PBC | VC45100-PBC VIRATA BGA | VC45100-PBC.pdf | |
![]() | AN7673 | AN7673 PANASONI DIP | AN7673.pdf |