창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMSZ4704T1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMSZ4yyyT1G, SZMMSZ4yyyT1G Series | |
| PCN 설계/사양 | Copper Wire 08/Jun/2009 | |
| PCN 조립/원산지 | SOD-123 Package Assembly Site Transfer 29/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 17V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 12.9V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MMSZ4704T1G-ND MMSZ4704T1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMSZ4704T1G | |
| 관련 링크 | MMSZ47, MMSZ4704T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 416F271X2AST | 27.12MHz ±15ppm 수정 시리즈 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F271X2AST.pdf | |
![]() | 1N767 | DIODE ZENER | 1N767.pdf | |
![]() | RG3216N-5763-D-T5 | RES SMD 576K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RG3216N-5763-D-T5.pdf | |
![]() | IS64WV1024BLL-15BA3 | IS64WV1024BLL-15BA3 ISSI TFBGA36 | IS64WV1024BLL-15BA3.pdf | |
![]() | C3896 | C3896 SANYO TO-3P | C3896.pdf | |
![]() | 84098012A SNJ54HC04FK | 84098012A SNJ54HC04FK TI LCC | 84098012A SNJ54HC04FK.pdf | |
![]() | 1210F-100K-01 | 1210F-100K-01 FASTRON SMD | 1210F-100K-01.pdf | |
![]() | 934V | 934V MICREL TSSOP10 | 934V.pdf | |
![]() | RWR81S3R83FS | RWR81S3R83FS dale SMD or Through Hole | RWR81S3R83FS.pdf | |
![]() | MF11-331 | MF11-331 ORIGINAL SMD or Through Hole | MF11-331.pdf | |
![]() | XCV600E-8FG680CES | XCV600E-8FG680CES XILINX BGA | XCV600E-8FG680CES.pdf | |
![]() | R85273J100A | R85273J100A ARC SMD or Through Hole | R85273J100A.pdf |