창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMSZ43T1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMSZyyyT1G, SZMMSZyyyT1G Series | |
| PCN 설계/사양 | Copper Wire 08/Jun/2009 | |
| PCN 조립/원산지 | SOD-123 Package Assembly Site Transfer 29/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 43V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 150옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 30.1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MMSZ43T1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMSZ43T1G | |
| 관련 링크 | MMSZ4, MMSZ43T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | MLZ2012M330WTD25 | 33µH Shielded Multilayer Inductor 190mA 3.38 Ohm Max 0805 (2012 Metric) | MLZ2012M330WTD25.pdf | |
![]() | CRCW120614R0FKEAHP | RES SMD 14 OHM 1% 1/2W 1206 | CRCW120614R0FKEAHP.pdf | |
![]() | Le7920-1JCJCBC | Le7920-1JCJCBC LEGERITY PLCC | Le7920-1JCJCBC.pdf | |
![]() | 74AUP1G17GW,125 | 74AUP1G17GW,125 NXPSEMI DIPSOP | 74AUP1G17GW,125.pdf | |
![]() | IRF650N | IRF650N IR TO-220 | IRF650N.pdf | |
![]() | SDC14500-614A | SDC14500-614A DDC SMD or Through Hole | SDC14500-614A.pdf | |
![]() | SPX1117M3-2.5/TR | SPX1117M3-2.5/TR SIPEX SMD or Through Hole | SPX1117M3-2.5/TR.pdf | |
![]() | AV6-8.4-26A | AV6-8.4-26A ORIGINAL SMD or Through Hole | AV6-8.4-26A.pdf | |
![]() | MB89567APF-G-216-BNDE1 | MB89567APF-G-216-BNDE1 FUJITSU QFP80 | MB89567APF-G-216-BNDE1.pdf | |
![]() | 556220608 | 556220608 molex Connector | 556220608.pdf | |
![]() | 2N6619 | 2N6619 SIEMENS SOT-23 | 2N6619.pdf | |
![]() | CV0J470MBSENG(6ABC | CV0J470MBSENG(6ABC SANYO SMD | CV0J470MBSENG(6ABC.pdf |