창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMJT350T1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMJT350T1 | |
| PCN 설계/사양 | Datasheet MSL Updated 2/April/2007 Wire Bond 01/Dec/2010 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 500mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 300V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | - | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V | |
| 전력 - 최대 | 650mW | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | MMJT350T1G-ND MMJT350T1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMJT350T1G | |
| 관련 링크 | MMJT35, MMJT350T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 2225WC103MAT3A\SB | 10000pF 2500V(2.5kV) 세라믹 커패시터 X7R 2225(5763 미터법) 0.225" L x 0.250" W(5.72mm x 6.35mm) | 2225WC103MAT3A\SB.pdf | |
![]() | 3GV19007UAAA | 3GV19007UAAA CSI SMD or Through Hole | 3GV19007UAAA.pdf | |
![]() | MS1608LC-2R7K-LF | MS1608LC-2R7K-LF ORIGINAL SMD or Through Hole | MS1608LC-2R7K-LF.pdf | |
![]() | X2573CE=TA1223AN | X2573CE=TA1223AN SHARP SMD or Through Hole | X2573CE=TA1223AN.pdf | |
![]() | KM44C4000J-8 | KM44C4000J-8 SUMSUNG SMD or Through Hole | KM44C4000J-8.pdf | |
![]() | TC55V8200FTI-15 | TC55V8200FTI-15 TOSHIBA TSOP54 | TC55V8200FTI-15.pdf | |
![]() | 520C691T350EH2B | 520C691T350EH2B CDE DIP | 520C691T350EH2B.pdf | |
![]() | H7ET-N1-B | H7ET-N1-B Omron SMD or Through Hole | H7ET-N1-B.pdf | |
![]() | DTR-12-L | DTR-12-L TRANSCEI SMD or Through Hole | DTR-12-L.pdf | |
![]() | UM202EEPE | UM202EEPE USL SMD or Through Hole | UM202EEPE.pdf |