IXYS MMIX1F230N20T

MMIX1F230N20T
제조업체 부품 번호
MMIX1F230N20T
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 200V 168A SMPD
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내부 부품 번호EIS-MMIX1F230N20T
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MMIX1F230N20T
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체IXYS
계열GigaMOS™, HiperFET™, TrenchT2™
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)200V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C168A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs8.3m옴 @ 60A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 8mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs378nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds28000pF @ 25V
전력 - 최대600W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스24-PowerSMD, 21리드
공급 장치 패키지SMPD
표준 포장 20
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)MMIX1F230N20T
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10MHz ±50ppm 수정 18pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) MA-506 10.0000M-C3: PURE SN.pdf
MMSZ3V3T1 ON SOD-123 MMSZ3V3T1.pdf
TLE2425MDR TI SOP-8 TLE2425MDR.pdf
74256 IDT SOP-28 74256.pdf
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