홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이 » MMDT2907AQ-7-F

Diodes Incorporated MMDT2907AQ-7-F

MMDT2907AQ-7-F
제조업체 부품 번호
MMDT2907AQ-7-F
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이
간단한 설명
TRANS PNP 60V SS SOT363
데이터 시트 다운로드
다운로드
MMDT2907AQ-7-F 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 63.25863
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 MMDT2907AQ-7-F 재고가 있습니다. 우리는 Diodes Incorporated 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Diodes Incorporated 전자 부품 전문. MMDT2907AQ-7-F 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. MMDT2907AQ-7-F가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
MMDT2907AQ-7-F 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
MMDT2907AQ-7-F 매개 변수
내부 부품 번호EIS-MMDT2907AQ-7-F
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MMDT2907A
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형2 PNP(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)600mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)60V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic1.6V @ 50mA, 500mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)10nA(ICBO)
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce100 @ 150mA, 10V
전력 - 최대200mW
주파수 - 트랜지션200MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 장치 패키지SOT-363
표준 포장 3,000
다른 이름MMDT2907AQ-7-FDITR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)MMDT2907AQ-7-F
관련 링크MMDT2907, MMDT2907AQ-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
MMDT2907AQ-7-F 의 관련 제품
0.10µF 250V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) CGA6M3X7R2E104M200AE.pdf
PMB6277A1.G infineon BGA PMB6277A1.G.pdf
LTST-281TGKT LITION SMD or Through Hole LTST-281TGKT.pdf
1210/10K ORIGINAL SMD 1210/10K.pdf
1210N330J500LT ORIGINAL SMD or Through Hole 1210N330J500LT.pdf
LDC18897M MURATA SMD or Through Hole LDC18897M.pdf
MX29LV008CTTC-70 ORIGINAL SMD or Through Hole MX29LV008CTTC-70.pdf
TMP92FD28AFG(JZ) TOSHIBA TQFP100 TMP92FD28AFG(JZ).pdf
RCC-NB6555-P04 SERVERWO BGA RCC-NB6555-P04.pdf
SN299017FN TexasInstruments SMD or Through Hole SN299017FN.pdf
BD46235G ROHM SOT23-5 BD46235G.pdf