창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMBZ5260C-G3-18 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MMBZ5225-G thru MMBZ5267-G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 43V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 225mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 93옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 33V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 10,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MMBZ5260C-G3-18 | |
관련 링크 | MMBZ5260C, MMBZ5260C-G3-18 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 416F32022ASR | 32MHz ±20ppm 수정 시리즈 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32022ASR.pdf | |
![]() | SIT9121AI-2BF-33S100.000000Y | OSC XO 3.3V 100MHZ ST | SIT9121AI-2BF-33S100.000000Y.pdf | |
![]() | SC5040F-100 | 10µH Unshielded Wirewound Inductor 9.5A 15.7 mOhm Max Nonstandard | SC5040F-100.pdf | |
![]() | RT0603CRE07330KL | RES SMD 330KOHM 0.25% 1/10W 0603 | RT0603CRE07330KL.pdf | |
![]() | 2SB624 / BV3 | 2SB624 / BV3 NEC SOT-23 | 2SB624 / BV3.pdf | |
![]() | KAS31000AM-S000 | KAS31000AM-S000 SAMSUNG BGA | KAS31000AM-S000.pdf | |
![]() | ST-18-28 | ST-18-28 CIT TSOP | ST-18-28.pdf | |
![]() | GMC10CG331J50NT | GMC10CG331J50NT N/A SMD or Through Hole | GMC10CG331J50NT.pdf | |
![]() | 0307-2.7UH | 0307-2.7UH LGA SMD or Through Hole | 0307-2.7UH.pdf | |
![]() | 4N26TM | 4N26TM FAIRCHILD DIP-6 | 4N26TM.pdf | |
![]() | HEF4014BTD | HEF4014BTD NXP AN | HEF4014BTD.pdf | |
![]() | ND5-12S24C | ND5-12S24C SANGMEI DIP | ND5-12S24C.pdf |