창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMBZ5258B-HE3-08 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MMBZ5225 thru MMBZ5267 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 36V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 225mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 70옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 27V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MMBZ5258B-HE3-08 | |
관련 링크 | MMBZ5258B, MMBZ5258B-HE3-08 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
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![]() | 4P037F35CDT | 3.6864MHz ±30ppm 수정 18pF 150옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 4P037F35CDT.pdf | |
![]() | PHD20N06T,118 | MOSFET N-CH 55V 18A DPAK | PHD20N06T,118.pdf | |
![]() | 3708-002460 | 3708-002460 ORIGINAL SMD or Through Hole | 3708-002460.pdf | |
![]() | STV8257 | STV8257 ORIGINAL QFP | STV8257.pdf | |
![]() | SP97Z9514 | SP97Z9514 SIPEX SMD or Through Hole | SP97Z9514.pdf | |
![]() | ADC-12/2 | ADC-12/2 DATEL DIP | ADC-12/2.pdf | |
![]() | A2866 | A2866 ORIGINAL SOP18 | A2866.pdf | |
![]() | N82S191AF | N82S191AF PHIL SMD or Through Hole | N82S191AF.pdf | |
![]() | RD28F3208C3B | RD28F3208C3B INTEL BGA | RD28F3208C3B.pdf | |
![]() | T491A334M025AT | T491A334M025AT KEMET SMD or Through Hole | T491A334M025AT.pdf | |
![]() | 82C44G-AF5-R | 82C44G-AF5-R UTC SOT23-5 | 82C44G-AF5-R.pdf |