창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMBZ5250BS-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMBZ5221BS - 5259BS | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 구성 | 2 독립형 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 20V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 25옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 15V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MMBZ5250BSDITR MMBZ5250BSTR MMBZ5250BSTR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMBZ5250BS-7 | |
| 관련 링크 | MMBZ525, MMBZ5250BS-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | MAL215777181E3 | 180µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 3 Lead 1.15 Ohm @ 100Hz 5000 Hrs @ 85°C | MAL215777181E3.pdf | |
![]() | 416F40033ILR | 40MHz ±30ppm 수정 12pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40033ILR.pdf | |
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![]() | ERJ-S14F4220U | RES SMD 422 OHM 1% 1/2W 1210 | ERJ-S14F4220U.pdf | |
![]() | RNMF12FTD49R9 | RES 49.9 OHM 1/2W 1% AXIAL | RNMF12FTD49R9.pdf | |
![]() | MS4800S-14-1040 | SAFETY LIGHT CURTAIN | MS4800S-14-1040.pdf | |
![]() | CD6219-332SK | CD6219-332SK CD SOT23-5 | CD6219-332SK.pdf | |
![]() | M366S1623ET0C1H/K4S640832E | M366S1623ET0C1H/K4S640832E SAM DIMM | M366S1623ET0C1H/K4S640832E.pdf | |
![]() | PA3542E2PRP | PA3542E2PRP TOSHIBA SMD or Through Hole | PA3542E2PRP.pdf | |
![]() | BAV70WE6433 | BAV70WE6433 Infineon SOT323-3 | BAV70WE6433.pdf | |
![]() | PHB110NQ08LT-01 | PHB110NQ08LT-01 NXP TO-263 | PHB110NQ08LT-01.pdf | |
![]() | R1124N281D-TR-F | R1124N281D-TR-F RICOH SOT23-5 | R1124N281D-TR-F.pdf |