창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMBZ5250BLT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MMBZ/SZMMBZ52xxBLT1G Series | |
PCN 설계/사양 | Glue Mount Process 11/July/2008 Copper Wire 08/Jun/2009 | |
카탈로그 페이지 | 1558 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 20V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 225mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 25옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 15V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | MMBZ5250BLT1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MMBZ5250BLT1G | |
관련 링크 | MMBZ525, MMBZ5250BLT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | CAT16-2003F4LF | RES ARRAY 4 RES 200K OHM 1206 | CAT16-2003F4LF.pdf | |
![]() | 3651B2 | 3651B2 chilisin SMD or Through Hole | 3651B2.pdf | |
![]() | CY8C3866LTI-030T | CY8C3866LTI-030T CY SMD or Through Hole | CY8C3866LTI-030T.pdf | |
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![]() | NG-41936 | NG-41936 JRC DIP9 | NG-41936.pdf | |
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![]() | Q12AB6LV | Q12AB6LV BANNER SMD or Through Hole | Q12AB6LV.pdf | |
![]() | 58L256L36F-10A | 58L256L36F-10A MT SMD or Through Hole | 58L256L36F-10A.pdf | |
![]() | H1P141X | H1P141X BOTHHAND DIP12 | H1P141X.pdf | |
![]() | CR54-101KC | CR54-101KC SUMIDA 5MM1K5 | CR54-101KC.pdf |