창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMBZ5233B-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMBZ5221B - 5259B | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 16/Sept/2008 | |
| PCN 조립/원산지 | Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1579 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 350mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 7옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 3.5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MMBZ5233B-FDITR MMBZ5233B7F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMBZ5233B-7-F | |
| 관련 링크 | MMBZ523, MMBZ5233B-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 3VSK1 | FILTER POWER LINE RFI .250 3A | 3VSK1.pdf | |
![]() | 0603R-181J | 180nH Unshielded Wirewound Inductor 250mA 1.4 Ohm Max 2-SMD | 0603R-181J.pdf | |
![]() | HC589AG | HC589AG ON SOP-16 | HC589AG.pdf | |
![]() | TLC5615IDGKR TEL:82766440 | TLC5615IDGKR TEL:82766440 TI MSOP8 | TLC5615IDGKR TEL:82766440.pdf | |
![]() | TL440-2 | TL440-2 ORIGINAL DIP6 | TL440-2.pdf | |
![]() | S0506F43 | S0506F43 TECCOR NO | S0506F43.pdf | |
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![]() | CG61594-603 | CG61594-603 FUJITSU BGA | CG61594-603.pdf | |
![]() | ISMC70AT3G | ISMC70AT3G ON TO-1037 | ISMC70AT3G.pdf | |
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![]() | RVG4E01-503VM-TH | RVG4E01-503VM-TH MURATA SMD or Through Hole | RVG4E01-503VM-TH.pdf | |
![]() | SKM200GAL173DH6 | SKM200GAL173DH6 SEMIKRON SMD or Through Hole | SKM200GAL173DH6.pdf |