창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMBZ5230B-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMBZ5221B - 5259B | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 16/Sept/2008 | |
| PCN 조립/원산지 | Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1579 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 350mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 19옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MMBZ5230B-FDITR MMBZ5230B7F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMBZ5230B-7-F | |
| 관련 링크 | MMBZ523, MMBZ5230B-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 04023A151GAT2A | 150pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | 04023A151GAT2A.pdf | |
![]() | 416F520XXAKT | 52MHz ±15ppm 수정 8pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F520XXAKT.pdf | |
![]() | Y11214K99000B0L | RES SMD 4.99K OHM 1/4W 2512 | Y11214K99000B0L.pdf | |
![]() | 68HC00 | 68HC00 ORIGINAL SMD or Through Hole | 68HC00.pdf | |
![]() | 2SK372-GR | 2SK372-GR TOSHIBA TO-92S | 2SK372-GR.pdf | |
![]() | SS-8070 | SS-8070 SS SMD or Through Hole | SS-8070.pdf | |
![]() | BD244ATU | BD244ATU FSC T0220 | BD244ATU.pdf | |
![]() | E1G44HT904198 | E1G44HT904198 INTEL SMD or Through Hole | E1G44HT904198.pdf | |
![]() | R9G20812CSOO | R9G20812CSOO POWEREX MODULE | R9G20812CSOO.pdf | |
![]() | VI-25N-IU | VI-25N-IU VICOR SMD or Through Hole | VI-25N-IU.pdf | |
![]() | EKMG6R3EC5153MLP1S | EKMG6R3EC5153MLP1S Chemi-con NA | EKMG6R3EC5153MLP1S.pdf |