창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMBZ5227B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMBZ5221B - MMBZ5257B Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing | |
| PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
| PCN 조립/원산지 | SOT23 Manufacturing Source 31/May2013 Assembly Site Addition 20/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.6V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 350mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 24옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 15µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MMBZ5227BFS MMBZ5227BFS-ND MMBZ5227BFSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMBZ5227B | |
| 관련 링크 | MMBZ5, MMBZ5227B 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CL10C331JC8NNNC | 330pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CL10C331JC8NNNC.pdf | |
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![]() | 6200TC BS NPB | 6200TC BS NPB NVIDIA BGA | 6200TC BS NPB.pdf | |
![]() | B69610-G6386-B406 | B69610-G6386-B406 ORIGINAL SMD or Through Hole | B69610-G6386-B406.pdf | |
![]() | PARI | PARI ORIGINAL SOT23-5 | PARI.pdf | |
![]() | SPHE8202S-H | SPHE8202S-H SUNPLUS QFP | SPHE8202S-H.pdf | |
![]() | TLV27L1IDBVR TI 2000 | TLV27L1IDBVR TI 2000 TI SMD or Through Hole | TLV27L1IDBVR TI 2000.pdf | |
![]() | 77A-100M-00 | 77A-100M-00 ORIGINAL SMD or Through Hole | 77A-100M-00.pdf | |
![]() | TD3438AP | TD3438AP TOSHIBA DIP14P | TD3438AP.pdf | |
![]() | MLV1206M14-651 | MLV1206M14-651 ITCTechnologyLtd SMD or Through Hole | MLV1206M14-651.pdf |