창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMBZ5226C-E3-18 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MMBZ5225 thru MMBZ5267 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.3V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 225mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 28옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 10,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MMBZ5226C-E3-18 | |
관련 링크 | MMBZ5226C, MMBZ5226C-E3-18 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | LP29BF35CDT | 29.4912MHz ±30ppm 수정 18pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP29BF35CDT.pdf | |
![]() | PDTC114TMB,315 | TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN | PDTC114TMB,315.pdf | |
![]() | IMC0805ER5R6J01 | 5.6µH Unshielded Wirewound Inductor 160mA 3 Ohm Max 0805 (2012 Metric) | IMC0805ER5R6J01.pdf | |
![]() | LQW15CNR39K10D | 390nH Unshielded Wirewound Inductor 370mA 620 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | LQW15CNR39K10D.pdf | |
![]() | AF0201FR-074K75L | RES SMD 4.75K OHM 1% 1/20W 0201 | AF0201FR-074K75L.pdf | |
![]() | LC74156PB | LC74156PB SANYO BGA416 | LC74156PB.pdf | |
![]() | CA45 D 1.5UF 50V M | CA45 D 1.5UF 50V M ORIGINAL SMD or Through Hole | CA45 D 1.5UF 50V M.pdf | |
![]() | 11614-12 | 11614-12 CONEXANT QFP | 11614-12.pdf | |
![]() | SZMMSZ7V5T1 | SZMMSZ7V5T1 ONSEMI SOD-123 | SZMMSZ7V5T1.pdf | |
![]() | SE1E475M04005 | SE1E475M04005 SAMWHA SMD or Through Hole | SE1E475M04005.pdf | |
![]() | SN65LBC170DBG4 | SN65LBC170DBG4 TI SSOP-16 | SN65LBC170DBG4.pdf | |
![]() | SI8601DK | SI8601DK SI CDIP28 | SI8601DK.pdf |