창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMBZ5225BLT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MMBZ/SZMMBZ52xxBLT1G Series | |
PCN 설계/사양 | Glue Mount Process 11/July/2008 Copper Wire 08/Jun/2009 | |
카탈로그 페이지 | 1558 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 225mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 29옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 50µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | MMBZ5225BLT1GOS MMBZ5225BLT1GOS-ND MMBZ5225BLT1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MMBZ5225BLT1G | |
관련 링크 | MMBZ522, MMBZ5225BLT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
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![]() | VJ0805D271GXBAT | 270pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D271GXBAT.pdf | |
![]() | RT0603DRE0719R6L | RES SMD 19.6 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RT0603DRE0719R6L.pdf | |
![]() | CW-2C-14 1.5K 5% | CW-2C-14 1.5K 5% VISHAY SMD or Through Hole | CW-2C-14 1.5K 5%.pdf | |
![]() | EPC2TC32 (CAF48) | EPC2TC32 (CAF48) ALTERA QFP-32 | EPC2TC32 (CAF48).pdf | |
![]() | NJM2881F05-#ZZZB | NJM2881F05-#ZZZB JRC S0T-23-5 | NJM2881F05-#ZZZB.pdf | |
![]() | FSCB50A12HPC-10 | FSCB50A12HPC-10 SAKAE SMD or Through Hole | FSCB50A12HPC-10.pdf | |
![]() | AM1010 | AM1010 PANJIT AM | AM1010.pdf | |
![]() | CR16B3R3JT | CR16B3R3JT RGA SMD or Through Hole | CR16B3R3JT.pdf | |
![]() | TSR4GTF332V | TSR4GTF332V ORIGINAL SMD or Through Hole | TSR4GTF332V.pdf | |
![]() | R5102V001A-E2 | R5102V001A-E2 RICOH SMD or Through Hole | R5102V001A-E2.pdf |