창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMBZ5225B-HE3-08 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMBZ5225 thru MMBZ5267 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 225mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 30옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMBZ5225B-HE3-08 | |
| 관련 링크 | MMBZ5225B, MMBZ5225B-HE3-08 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | L-05B33NJV6T | 33nH Unshielded Multilayer Inductor 200mA 2.3 Ohm Max 0201 (0603 Metric) | L-05B33NJV6T.pdf | |
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![]() | RT1210CRD075K36L | RES SMD 5.36KOHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRD075K36L.pdf | |
![]() | C25T06B | C25T06B NIKON SMD or Through Hole | C25T06B.pdf | |
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![]() | ICMEF214P101M,GP,1GHz,8P,ICT | ICMEF214P101M,GP,1GHz,8P,ICT ICT SOP8 | ICMEF214P101M,GP,1GHz,8P,ICT.pdf | |
![]() | CA45A A 22UF6.3V M | CA45A A 22UF6.3V M ORIGINAL SMD or Through Hole | CA45A A 22UF6.3V M.pdf | |
![]() | K7H803654C-FC16T00 | K7H803654C-FC16T00 SAMSUNG BGA | K7H803654C-FC16T00.pdf | |
![]() | GES10006018 | GES10006018 ORIGINAL QFP | GES10006018.pdf |