창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMBZ4700-HE3-18 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMBZ4681 thru MMBZ4717 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 13V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 350mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 9.8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMBZ4700-HE3-18 | |
| 관련 링크 | MMBZ4700-, MMBZ4700-HE3-18 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | GRM1535C1H560JDD5D | 56pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1535C1H560JDD5D.pdf | |
![]() | NE85630-T1-R25-A | RF TRANSISTOR NPN SOT-323 | NE85630-T1-R25-A.pdf | |
![]() | PWC2010-330RJI | RES SMD 330 OHM 5% 3/4W 2010 | PWC2010-330RJI.pdf | |
![]() | CMF55600R00CEEK | RES 600 OHM 1/2W 0.25% AXIAL | CMF55600R00CEEK.pdf | |
![]() | ILD066-257 | ILD066-257 SIEMENS DIP-8 | ILD066-257.pdf | |
![]() | TLP181(T) | TLP181(T) TOSHIBA MFSOP6 | TLP181(T).pdf | |
![]() | 2R350-8 | 2R350-8 UZ EPCOS SMD or Through Hole | 2R350-8.pdf | |
![]() | N350CH04 | N350CH04 WESTCODE SMD or Through Hole | N350CH04.pdf | |
![]() | HV22G470MCXS1WPEC | HV22G470MCXS1WPEC HITACHI DIP | HV22G470MCXS1WPEC.pdf | |
![]() | TVA22187 | TVA22187 HIT DIP | TVA22187.pdf | |
![]() | S82S23F/883C | S82S23F/883C NS CDIP16 | S82S23F/883C.pdf |