창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMBT4401 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2N4401, MMBT4401 Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing | |
| PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
| PCN 조립/원산지 | SOT23 Manufacturing Source 31/May2013 | |
| PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1595 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 600mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 40V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 750mV @ 50mA, 500mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | - | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 1V | |
| 전력 - 최대 | 350mW | |
| 주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MMBT4401FSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMBT4401 | |
| 관련 링크 | MMBT, MMBT4401 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 416F32022IAT | 32MHz ±20ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32022IAT.pdf | |
![]() | PHP00805H3650BST1 | RES SMD 365 OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805H3650BST1.pdf | |
![]() | 55501EJ/BQA | 55501EJ/BQA REI Call | 55501EJ/BQA.pdf | |
![]() | MKP2-683J100 | MKP2-683J100 WIMA() SMD or Through Hole | MKP2-683J100.pdf | |
![]() | 2196LPST | 2196LPST CTS/WSI SMD or Through Hole | 2196LPST.pdf | |
![]() | CL31F104MBNCR | CL31F104MBNCR SAMSUNG SMD or Through Hole | CL31F104MBNCR.pdf | |
![]() | S-80817ALNP-EAE-T2 | S-80817ALNP-EAE-T2 SEIKO SOT343 | S-80817ALNP-EAE-T2.pdf | |
![]() | 88HFR120M | 88HFR120M IR SMD or Through Hole | 88HFR120M.pdf | |
![]() | LM2902N(SL161914) | LM2902N(SL161914) NSC (DIP) | LM2902N(SL161914).pdf | |
![]() | NZH16C,115 | NZH16C,115 NXP SOD123 | NZH16C,115.pdf | |
![]() | ST62T20C6ST | ST62T20C6ST ZP SOP | ST62T20C6ST.pdf |