창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMBFJ111 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | J111-113,MMBFJ111-13 | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly Site Addition 20/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 접합형 전계 효과(JFET) | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | N채널 | |
| 전압 - 항복(V(BR)GSS) | 35V | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
| 전류 - 드레인(Idss) @ Vds(Vgs=0) | 20mA @ 15V | |
| 전류 드레인(Id) - 최대 | - | |
| 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id | 3V @ 1µA | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 저항 - RDS(On) | 30옴 | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 전력 - 최대 | 350mW | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MMBFJ111-ND MMBFJ111TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMBFJ111 | |
| 관련 링크 | MMBF, MMBFJ111 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
| ETXH201VSN182MB50S | 1800µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 10000 Hrs @ 105°C | ETXH201VSN182MB50S.pdf | ||
|  | MMBD4448-TP | DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT23 | MMBD4448-TP.pdf | |
|  | AHP500FB-12R | RES CHAS MNT 12 OHM 1% 5W | AHP500FB-12R.pdf | |
|  | F1162ANBGI | RF Mixer IC General Purpose Down Converter 36-VFQFPN (6x6) | F1162ANBGI.pdf | |
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|  | TO956FH | TO956FH TRUMPION SMD or Through Hole | TO956FH.pdf | |
|  | MPY534JM | MPY534JM BB CAN | MPY534JM.pdf | |
|  | 744233670- | 744233670- WE SMD | 744233670-.pdf | |
|  | CR16271JL | CR16271JL asj SMD or Through Hole | CR16271JL.pdf | |
|  | 2MBI1001N-060 | 2MBI1001N-060 BEAU-VERNITRON SMD or Through Hole | 2MBI1001N-060.pdf | |
|  | A1212KD-W5 | A1212KD-W5 MORNSUN DIP | A1212KD-W5.pdf | |
|  | P33N02 G74M03 | P33N02 G74M03 MOT QFP | P33N02 G74M03.pdf |