창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMBD101LT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBD101, MMBD101LT1 | |
| PCN 설계/사양 | Glue Mount Process 11/July/2008 Copper Wire 08/Jun/2009 | |
| 카탈로그 페이지 | 1562 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF 다이오드 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 - 단일 | |
| 전압 - 피크 역(최대) | 7V | |
| 전류 - 최대 | - | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 1pF @ 0V, 1MHz | |
| 저항 @ If, F | - | |
| 내전력(최대) | 225mW | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MMBD101LT1GOS MMBD101LT1GOS-ND MMBD101LT1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMBD101LT1G | |
| 관련 링크 | MMBD10, MMBD101LT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | GRM31A7U2J680JW31D | 68pF 630V 세라믹 커패시터 U2J 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | GRM31A7U2J680JW31D.pdf | |
| NE3511S02-A | HJ-FET NCH 13.5DB S02 | NE3511S02-A.pdf | ||
![]() | 27128K50 | 27128K50 ORIGINAL DIP | 27128K50.pdf | |
![]() | SM7720DSV 100.000MHZ-30 | SM7720DSV 100.000MHZ-30 PLETRONICS SMD | SM7720DSV 100.000MHZ-30.pdf | |
![]() | SCK15224 | SCK15224 TKS DIP | SCK15224.pdf | |
![]() | ST72T671N6B1 | ST72T671N6B1 ST DIP-56 | ST72T671N6B1.pdf | |
![]() | RL0805FR070R56L | RL0805FR070R56L Yageo SMD or Through Hole | RL0805FR070R56L.pdf | |
![]() | YC124-JR-073K3 | YC124-JR-073K3 YAGEO SMD or Through Hole | YC124-JR-073K3.pdf | |
![]() | HYCOSEFOMF3P-5S60E | HYCOSEFOMF3P-5S60E HYNIX BGA | HYCOSEFOMF3P-5S60E.pdf | |
![]() | SA57250-24GW | SA57250-24GW NXP SOT23-5 | SA57250-24GW.pdf | |
![]() | 49MC684B035K0ASFT | 49MC684B035K0ASFT NIPPON B | 49MC684B035K0ASFT.pdf |