창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MM3Z5V1ST1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MM3ZzzzST1G, SZMM3ZzzzST1GSeries | |
| PCN 설계/사양 | Copper Wire 08/Jun/2009 | |
| 카탈로그 페이지 | 1558 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.1V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 60옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MM3Z5V1ST1GOS MM3Z5V1ST1GOS-ND MM3Z5V1ST1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MM3Z5V1ST1G | |
| 관련 링크 | MM3Z5V, MM3Z5V1ST1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D200FLBAP | 20pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D200FLBAP.pdf | |
![]() | ECW-H10563JV | 0.056µF Film Capacitor 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.906" L x 0.374" W (23.00mm x 9.50mm) | ECW-H10563JV.pdf | |
![]() | TDA7200XT | TDA7200XT Infineon SMD or Through Hole | TDA7200XT.pdf | |
![]() | LC4384V-75F256C10I | LC4384V-75F256C10I LATTICE BGA | LC4384V-75F256C10I.pdf | |
![]() | 25W22KΩ | 25W22KΩ ORIGINAL SMD or Through Hole | 25W22KΩ.pdf | |
![]() | LMC662M-5 | LMC662M-5 NS SOP8 | LMC662M-5.pdf | |
![]() | 6R1MBI125LP-160-54 | 6R1MBI125LP-160-54 FUJI SMD or Through Hole | 6R1MBI125LP-160-54.pdf | |
![]() | LXT905PEC2 | LXT905PEC2 INTEL PLCC | LXT905PEC2.pdf | |
![]() | 257F | 257F MITSOMI SOP4 | 257F.pdf | |
![]() | PBSS4021SN | PBSS4021SN NXP SOT23 | PBSS4021SN.pdf | |
![]() | BUS131 | BUS131 NXP TO-3 | BUS131.pdf | |
![]() | MG30J6ES11 | MG30J6ES11 TOSHIBA SMD or Through Hole | MG30J6ES11.pdf |