창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MM3Z56VB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MM3Z2V4B-MM3Z75VB | |
| PCN 설계/사양 | SOD323F Material 16/Apr/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 56V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 188옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 45nA @ 39.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1V @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-90, SOD-323F | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-323F | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MM3Z56VBTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MM3Z56VB | |
| 관련 링크 | MM3Z, MM3Z56VB 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CDRH3D11HPNP-2R2NC | 2.2µH Shielded Inductor 1.15A 143 mOhm Max Nonstandard | CDRH3D11HPNP-2R2NC.pdf | |
![]() | RT1210CRD0782KL | RES SMD 82K OHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRD0782KL.pdf | |
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![]() | VTQ30-06D013 | VTQ30-06D013 ORIGINAL SMD or Through Hole | VTQ30-06D013.pdf | |
![]() | HFA0082AB | HFA0082AB HARRIS SMD | HFA0082AB.pdf | |
![]() | DGDEC2/1-0 | DGDEC2/1-0 ALCATEL QFP | DGDEC2/1-0.pdf | |
![]() | PIC12F508T | PIC12F508T ORIGINAL SMD or Through Hole | PIC12F508T.pdf | |
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![]() | EELXT907APC.A4 | EELXT907APC.A4 INTEL PLCC | EELXT907APC.A4.pdf | |
![]() | MAX811TEUSTR | MAX811TEUSTR MIS SMD or Through Hole | MAX811TEUSTR.pdf | |
![]() | SG2C336M16025PA180 | SG2C336M16025PA180 SAMWHA SMD or Through Hole | SG2C336M16025PA180.pdf |