창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MM3Z4V7T1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MM3ZyyyT1G, SZMM3ZyyyT1G Series | |
PCN 설계/사양 | Copper Wire 08/Jun/2009 | |
카탈로그 페이지 | 1558 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 300mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 80옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | MM3Z4V7T1GOS MM3Z4V7T1GOS-ND MM3Z4V7T1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MM3Z4V7T1G | |
관련 링크 | MM3Z4V, MM3Z4V7T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
T221N12EOF | T221N12EOF EUPEC SMD or Through Hole | T221N12EOF.pdf | ||
LM1117DTX-3.3************* | LM1117DTX-3.3************* NS TO-252 | LM1117DTX-3.3*************.pdf | ||
P0600SARP | P0600SARP TECCOR 1812 | P0600SARP.pdf | ||
S386C708-L | S386C708-L MX PLCC68 | S386C708-L.pdf | ||
710003FAEGWDV1-2 | 710003FAEGWDV1-2 SIEMENS QFP | 710003FAEGWDV1-2.pdf | ||
6834G3C-LHE-A | 6834G3C-LHE-A HUIYUAN ROHS | 6834G3C-LHE-A.pdf | ||
ADR443ARM | ADR443ARM AD MSOP-8 | ADR443ARM.pdf | ||
32.0M 6.0x3.9 | 32.0M 6.0x3.9 KSS SMD-4P | 32.0M 6.0x3.9.pdf | ||
LTC2209CUP#PBF | LTC2209CUP#PBF LINEAR 64QFN | LTC2209CUP#PBF.pdf | ||
SP813EP | SP813EP SIPEX DIP8 | SP813EP.pdf | ||
DD50S364T | DD50S364T FRAMATOMECONNECTORS SMD or Through Hole | DD50S364T.pdf | ||
XC39052PV80 | XC39052PV80 MC SMD or Through Hole | XC39052PV80.pdf |