창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MM3Z4V3T1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MM3ZyyyT1G, SZMM3ZyyyT1G Series | |
PCN 설계/사양 | Copper Wire 08/Jun/2009 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
허용 오차 | ±7% | |
전력 - 최대 | 300mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | MM3Z4V3T1GOS MM3Z4V3T1GOS-ND MM3Z4V3T1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MM3Z4V3T1G | |
관련 링크 | MM3Z4V, MM3Z4V3T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
F339X126848MDI2B0 | 6800pF Film Capacitor 480V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.236" W (12.50mm x 6.00mm) | F339X126848MDI2B0.pdf | ||
ICE2A280ZXKLA1 | Converter Offline Flyback Topology 100kHz PG-DIP-7-1 | ICE2A280ZXKLA1.pdf | ||
DDR020KE1R280TCT | DDR020KE1R280TCT MURATA SMD | DDR020KE1R280TCT.pdf | ||
LN431650A14 | LN431650A14 POWEREX SMD or Through Hole | LN431650A14.pdf | ||
XC3010A-3PQ100C | XC3010A-3PQ100C XILINX SMD or Through Hole | XC3010A-3PQ100C.pdf | ||
PQ30RV11J00H | PQ30RV11J00H SHARP TO220 | PQ30RV11J00H.pdf | ||
B250C-800M | B250C-800M GI DIP | B250C-800M.pdf | ||
VSC8140TWC | VSC8140TWC VITESSE BGA | VSC8140TWC.pdf | ||
M59DR016EC85ZB6T | M59DR016EC85ZB6T ORIGINAL SMD or Through Hole | M59DR016EC85ZB6T.pdf | ||
EFD20-3F3/K | EFD20-3F3/K FERROXCUBE SMD or Through Hole | EFD20-3F3/K.pdf | ||
T350H566M010AS | T350H566M010AS kemet SMD or Through Hole | T350H566M010AS.pdf |