창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MLG0603Q4N0BT000 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | MLG0603Q4N0BT000 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | MLG0603Q4N0BT000 | |
| 관련 링크 | MLG0603Q4, MLG0603Q4N0BT000 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | IMC1812ES181J | 180µH Unshielded Wirewound Inductor 102mA 9.5 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812ES181J.pdf | |
![]() | 550382T250BF2B | 550382T250BF2B CDE DIP | 550382T250BF2B.pdf | |
![]() | 000107-B/64051 | 000107-B/64051 QVEX SOP28 | 000107-B/64051.pdf | |
![]() | LH20-10B09 | LH20-10B09 MORNSUN SMD or Through Hole | LH20-10B09.pdf | |
![]() | 75L6P41.M4 | 75L6P41.M4 TOSHIBA SMD or Through Hole | 75L6P41.M4.pdf | |
![]() | MGM80011AP | MGM80011AP ORIGINAL SMD or Through Hole | MGM80011AP.pdf | |
![]() | IL855 | IL855 INF SMD or Through Hole | IL855.pdf | |
![]() | 16X16 DDR2 | 16X16 DDR2 MT BGA | 16X16 DDR2.pdf | |
![]() | LM317BD | LM317BD ON SOP8 | LM317BD.pdf | |
![]() | P2576L | P2576L UTC TO220B | P2576L.pdf | |
![]() | 93LC56A-E/SN | 93LC56A-E/SN MIC SOIC-8 | 93LC56A-E/SN.pdf | |
![]() | K3PE7E700D-XGC2000 | K3PE7E700D-XGC2000 SAMSUNG SMD or Through Hole | K3PE7E700D-XGC2000.pdf |