창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ML03V10R6BAT2A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MLO Low ESR Microwave Caps | |
주요제품 | MLO Capacitors | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | AVX Corporation | |
계열 | MLO™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 0.60pF | |
허용 오차 | ±0.1pF | |
전압 - 정격 | 250V | |
온도 계수 | C0G, NP0 | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0603(1608 미터법) | |
크기/치수 | 0.063" L x 0.033" W(1.60mm x 0.84mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.029"(0.74mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 높은 Q값, 저손실 | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 478-7244-2 ML03V10R6BAT2A/3K | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ML03V10R6BAT2A | |
관련 링크 | ML03V10R, ML03V10R6BAT2A 데이터 시트, AVX Corporation 에이전트 유통 |
416F27013IDR | 27MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27013IDR.pdf | ||
CTX06-14622 | 22µH Unshielded Toroidal Inductor 8.5A 11.7 mOhm Max Nonstandard | CTX06-14622.pdf | ||
TNPW04025K23BEED | RES SMD 5.23KOHM 0.1% 1/16W 0402 | TNPW04025K23BEED.pdf | ||
1N4007-TA-MIC | 1N4007-TA-MIC MIC DO-41 | 1N4007-TA-MIC.pdf | ||
FN1L4M(M)-T1B | FN1L4M(M)-T1B NEC SOT-23 | FN1L4M(M)-T1B.pdf | ||
3.3K 0.1% 0603-1/10W-332-B | 3.3K 0.1% 0603-1/10W-332-B none SMD or Through Hole | 3.3K 0.1% 0603-1/10W-332-B.pdf | ||
01MCRSA075C-54C7 | 01MCRSA075C-54C7 GL/SANYO SMDDIP | 01MCRSA075C-54C7.pdf | ||
PCA9543APWRG4 | PCA9543APWRG4 TI TSSOP14 | PCA9543APWRG4.pdf | ||
G5NB-1A5VDC | G5NB-1A5VDC OMRON SMD or Through Hole | G5NB-1A5VDC.pdf | ||
LT1086CT | LT1086CT LT TO220-3 | LT1086CT .pdf | ||
Hi3560ERQC | Hi3560ERQC HISILCOM QFP | Hi3560ERQC.pdf | ||
HN58V1001T25V-E | HN58V1001T25V-E RENESA SMD or Through Hole | HN58V1001T25V-E.pdf |