창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MKP386M530125YT3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MKP386M Series Datasheet Film Capacitors Brochure | |
애플리케이션 노트 | Soldering Guidelines Appl Note | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 필름 커패시터 | |
제조업체 | Vishay BC Components | |
계열 | MKP386M 스너버 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 3µF | |
허용 오차 | ±5% | |
정격 전압 - AC | 550V | |
정격 전압 - DC | 1250V(1.25kV) | |
유전체 소재 | 폴리프로필렌(PP), 금속화 | |
등가 직렬 저항(ESR) | 4m옴 | |
작동 온도 | -55°C ~ 105°C | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 직사각 박스 | |
크기/치수 | 2.284" L x 0.984" W(58.00mm x 25.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 1.772"(45.00mm) | |
종단 | 스크루 단자 | |
리드 간격 | - | |
응용 제품 | 스너버 | |
특징 | 저ESR | |
표준 포장 | 48 | |
다른 이름 | 386M530125YT3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MKP386M530125YT3 | |
관련 링크 | MKP386M53, MKP386M530125YT3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
VJ0805D510JXBAJ | 51pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D510JXBAJ.pdf | ||
3613CR22M | 220nH Unshielded Inductor 665mA 250 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | 3613CR22M.pdf | ||
RT0603DRD07665RL | RES SMD 665 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RT0603DRD07665RL.pdf | ||
P51-75-G-G-D-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 75 PSI (517.11 kPa) Vented Gauge Male - 1/8" (3.18mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-75-G-G-D-4.5OVP-000-000.pdf | ||
PQ-20 | PQ-20 TKK SMD or Through Hole | PQ-20.pdf | ||
R8B13 | R8B13 ORIGINAL CDIP | R8B13.pdf | ||
FT24C32A-UTR-T | FT24C32A-UTR-T FMD TSSOP | FT24C32A-UTR-T.pdf | ||
G3MB-102PL 12VDC | G3MB-102PL 12VDC ORIGINAL SMD or Through Hole | G3MB-102PL 12VDC.pdf | ||
ADM8262 | ADM8262 INFINEON SMD or Through Hole | ADM8262.pdf | ||
1N1229B | 1N1229B IR SMD or Through Hole | 1N1229B.pdf | ||
4*32 DDR1 | 4*32 DDR1 ORIGINAL SMD or Through Hole | 4*32 DDR1.pdf | ||
1-106081-9 | 1-106081-9 TYCO SMD or Through Hole | 1-106081-9.pdf |