창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MJD6039T4G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MJD6039 | |
| PCN 조립/원산지 | Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 달링턴 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 4A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 80V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 2.5V @ 8mA, 2A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 10µA | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 500 @ 2A, 4V | |
| 전력 - 최대 | 1.75W | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | MJD6039T4G-ND MJD6039T4GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MJD6039T4G | |
| 관련 링크 | MJD603, MJD6039T4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | MAL205778151E3 | 150µF 385V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 3 Lead 950 mOhm @ 100Hz 12000 Hrs @ 85°C | MAL205778151E3.pdf | |
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![]() | GCM32DR71H335KA55L | 3.3µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | GCM32DR71H335KA55L.pdf | |
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![]() | UFS315GE3/TR13 | DIODE GEN PURP 150V 3A DO215AB | UFS315GE3/TR13.pdf | |
![]() | 6264BS2K | 6264BS2K ORIGINAL SMD or Through Hole | 6264BS2K.pdf | |
![]() | APM4476K | APM4476K ORIGINAL SO8 | APM4476K.pdf | |
![]() | 48327C | 48327C ORIGINAL SOP-14P | 48327C.pdf | |
![]() | 19081352 | 19081352 ORIGINAL SMD or Through Hole | 19081352.pdf | |
![]() | MB90F598. | MB90F598. FUJITSU QFP100 | MB90F598..pdf | |
![]() | XPC823ZT50Z3 | XPC823ZT50Z3 ORIGINAL SMD or Through Hole | XPC823ZT50Z3.pdf | |
![]() | 1926E | 1926E ORIGINAL NEW | 1926E.pdf |