창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MJD5731T4G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MJD5731 | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | PNP | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 1A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 350V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 1A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100µA | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 30 @ 300mA, 10V | |
전력 - 최대 | 1.56W | |
주파수 - 트랜지션 | 10MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | MJD5731T4G-ND MJD5731T4GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MJD5731T4G | |
관련 링크 | MJD573, MJD5731T4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
104PPB102K | 0.1µF Film Capacitor 600V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.260" L x 0.433" W (32.00mm x 11.00mm) | 104PPB102K.pdf | ||
FXO-PC735-800 | 800MHz LVPECL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 120mA Enable/Disable | FXO-PC735-800.pdf | ||
RT0402DRD0730K1L | RES SMD 30.1KOHM 0.5% 1/16W 0402 | RT0402DRD0730K1L.pdf | ||
RPC326R8J | RPC326R8J Kamaya ERJP08J6R8V-Pana-PWC12066R8J-Welwyn | RPC326R8J.pdf | ||
VT82C686A ce | VT82C686A ce VIA BGA | VT82C686A ce.pdf | ||
S-816A36AMC | S-816A36AMC SEIKO SOT-153 | S-816A36AMC.pdf | ||
IRS2608DSPBF | IRS2608DSPBF InternationRectifer SMD or Through Hole | IRS2608DSPBF.pdf | ||
5100ISZ | 5100ISZ INTERSIL SOP-8 | 5100ISZ.pdf | ||
GD82547EI Q777ES | GD82547EI Q777ES INTEL BGA | GD82547EI Q777ES.pdf | ||
M347L6510BT0-CA0 | M347L6510BT0-CA0 Samsung Bag | M347L6510BT0-CA0.pdf | ||
B82422H1121K100 | B82422H1121K100 EPCOS SMT | B82422H1121K100.pdf |