창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MJD44H11T4G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MJD44H11, MJD45H11 | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013 Qualification Wafer Site 20/Jun/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1556 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 8A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 80V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 1µA | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 40 @ 4A, 1V | |
전력 - 최대 | 1.75W | |
주파수 - 트랜지션 | 85MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | MJD44H11T4GOS MJD44H11T4GOS-ND MJD44H11T4GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MJD44H11T4G | |
관련 링크 | MJD44H, MJD44H11T4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
BFC238340752 | 7500pF Film Capacitor 500V 1400V (1.4kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.276" W (17.50mm x 7.00mm) | BFC238340752.pdf | ||
CLF7045T-2R2N-D | 2.2µH Shielded Wirewound Inductor 4.3A 18.98 mOhm Max Nonstandard | CLF7045T-2R2N-D.pdf | ||
ALE7PF05 | LE RELAY 5V | ALE7PF05.pdf | ||
C34S | 36MHz Whip, Straight RF Antenna 34MHz ~ 37MHz 0dB Connector, NMO Base Mount | C34S.pdf | ||
82233O3 | 82233O3 AMP SMD or Through Hole | 82233O3.pdf | ||
21602.5MXEP | 21602.5MXEP LITTELFUSE 1500A | 21602.5MXEP.pdf | ||
AZ339M | AZ339M ORIGINAL SOP14 | AZ339M .pdf | ||
M51V17400A/B/F-60 | M51V17400A/B/F-60 MEMORY SMD | M51V17400A/B/F-60.pdf | ||
K9K1G08U0M-YCL0 | K9K1G08U0M-YCL0 SAMSUNG TSOP | K9K1G08U0M-YCL0.pdf | ||
AM25S09/BFA | AM25S09/BFA AMD SMD or Through Hole | AM25S09/BFA.pdf | ||
C1005X7R1H102MC | C1005X7R1H102MC TDK MURATA TAIYO SMD or Through Hole | C1005X7R1H102MC.pdf | ||
39-03-6013 | 39-03-6013 MOLEX SMD or Through Hole | 39-03-6013.pdf |