창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MJD350T4G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MJD340,350 | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1557 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | PNP | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 500mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 300V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | - | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100µA | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V | |
전력 - 최대 | 1.56W | |
주파수 - 트랜지션 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | MJD350T4GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MJD350T4G | |
관련 링크 | MJD35, MJD350T4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
GRM1555C1H391GA01D | 390pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1H391GA01D.pdf | ||
MKP1839122634G | 220pF Film Capacitor 250V 630V Polypropylene (PP), Metallized Axial 0.197" Dia x 0.433" L (5.00mm x 11.00mm) | MKP1839122634G.pdf | ||
CY-191A-P-Z-Y | SENSOR PHOTO PNP 2M 12-24V | CY-191A-P-Z-Y.pdf | ||
AT27C020-55TI | AT27C020-55TI ATMEL TSOP-32 | AT27C020-55TI.pdf | ||
AT34C | AT34C ATMEL SOP8 | AT34C.pdf | ||
LLL185R71E223M | LLL185R71E223M MURATA SMD or Through Hole | LLL185R71E223M.pdf | ||
X1226CE | X1226CE SHARP DIP20 | X1226CE.pdf | ||
IRKT56/08AS90 | IRKT56/08AS90 IOR ADD-A-Pak | IRKT56/08AS90.pdf | ||
PA1353 | PA1353 PULSE SMD8 | PA1353.pdf | ||
CT-6MH | CT-6MH COPAL SMD or Through Hole | CT-6MH.pdf | ||
F82C836B25 | F82C836B25 CHIPS QFP160 | F82C836B25.pdf | ||
HEC50-E3 | HEC50-E3 P-DUKE SMD or Through Hole | HEC50-E3.pdf |