ON Semiconductor MJD112T4G
- 제조업체 부품 번호
- MJD112T4G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- 트랜지스터(BJT) - 단일
- 간단한 설명
- TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
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MJD112T4G 가격 및 조달
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8550 조각
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창고: HONGKONG
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제조업체 표준 리드 타임: 6 주
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- ₩ 207.71562
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MJD112T4G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-MJD112T4G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MJD112,117 | |
| PCN 조립/원산지 | Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013 | |
| 카탈로그 페이지 | 1556 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 달링턴 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 2A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 100V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 20µA | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V | |
| 전력 - 최대 | 1.75W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 25MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | MJD112T4GOS MJD112T4GOS-ND MJD112T4GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MJD112T4G | |
| 관련 링크 | MJD11, MJD112T4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
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