창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MIKROE-651 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SW-0.4M Specification~ | |
기타 관련 문서 | SW-0.4M Statement of Origin | |
종류 | 센서, 트랜스듀서 | |
제품군 | 솔라 셀 | |
제조업체 | MikroElektronika | |
계열 | - | |
부품 현황 | * | |
전력(와트) - 최대 | 400mW | |
전류 @ Pmpp | 100mA | |
전압 @ Pmpp | 4V | |
전류 단락 회로(Isc) | 105mA | |
유형 | 단결정 | |
전압 - 개방 회로 | 4.6V | |
작동 온도 | -10°C ~ 50°C | |
패키지/케이스 | 전지 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 1471-1517 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MIKROE-651 | |
관련 링크 | MIKROE, MIKROE-651 데이터 시트, MikroElektronika 에이전트 유통 |
1N5383B/TR8 | DIODE ZENER 150V 5W T18 | 1N5383B/TR8.pdf | ||
RJH60D7ADPK-00#T0 | IGBT 600V 90A 300W TO-3P | RJH60D7ADPK-00#T0.pdf | ||
GT-64130-B-O | GT-64130-B-O GALILEO BGA | GT-64130-B-O.pdf | ||
LSC417543CDW | LSC417543CDW MOT SO28L | LSC417543CDW.pdf | ||
BZT52-B6V2S(6V2) | BZT52-B6V2S(6V2) PANJIT SOD-323 | BZT52-B6V2S(6V2).pdf | ||
1010S | 1010S ORIGINAL TSSOP24 | 1010S.pdf | ||
H74B-6002-H830 | H74B-6002-H830 FUJ SMD or Through Hole | H74B-6002-H830.pdf | ||
GRM39X7R103K50C500 | GRM39X7R103K50C500 ORIGINAL SMD or Through Hole | GRM39X7R103K50C500.pdf | ||
PC28F512P33BFD | PC28F512P33BFD MICRON SMD or Through Hole | PC28F512P33BFD.pdf | ||
VSN3216A30NR | VSN3216A30NR SAMWHA SMD | VSN3216A30NR.pdf | ||
TPS72118DBVR.. | TPS72118DBVR.. TI SMD or Through Hole | TPS72118DBVR...pdf | ||
TKP153M1AL35 | TKP153M1AL35 JAMICON SMD or Through Hole | TKP153M1AL35.pdf |