창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MI-RAM-I2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | MI-RAM-I2 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | NA | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | MI-RAM-I2 | |
| 관련 링크 | MI-RA, MI-RAM-I2 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 1825WC472MATME | 4700pF 2500V(2.5kV) 세라믹 커패시터 X7R 1825(4564 미터법) 0.177" L x 0.252" W(4.50mm x 6.40mm) | 1825WC472MATME.pdf | |
![]() | GRM1556R1H8R2DZ01D | 8.2pF 50V 세라믹 커패시터 R2H 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1556R1H8R2DZ01D.pdf | |
![]() | TAJV337K010RNJ | 330µF Molded Tantalum Capacitors 10V 2924 (7361 Metric) 900 mOhm 0.287" L x 0.240" W (7.30mm x 6.10mm) | TAJV337K010RNJ.pdf | |
![]() | CPCP05100R0JB32 | RES 100 OHM 5W 5% RADIAL | CPCP05100R0JB32.pdf | |
![]() | MS20224R7MLB | MS20224R7MLB ABC SMD or Through Hole | MS20224R7MLB.pdf | |
![]() | 1SM5927BT3G | 1SM5927BT3G ON DO-214 | 1SM5927BT3G.pdf | |
![]() | 400v822 | 400v822 ORIGINAL SMD or Through Hole | 400v822.pdf | |
![]() | DCN24D3.3-W5 | DCN24D3.3-W5 BBT DIP14 | DCN24D3.3-W5.pdf | |
![]() | ADADC85SZ12/883 | ADADC85SZ12/883 AnalogDevices SMD or Through Hole | ADADC85SZ12/883.pdf | |
![]() | R5321D007A | R5321D007A RICOH SMD or Through Hole | R5321D007A.pdf | |
![]() | FSM-S009 | FSM-S009 FSM SMD or Through Hole | FSM-S009.pdf | |
![]() | IXTN27N80 | IXTN27N80 IXYS MODULE | IXTN27N80.pdf |