창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MG50N2YS1(50A1000V) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | MG50N2YS1(50A1000V) | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | MG50N2YS1(50A1000V) | |
| 관련 링크 | MG50N2YS1(5, MG50N2YS1(50A1000V) 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | B37940K5010C870 | 1pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | B37940K5010C870.pdf | |
![]() | C901U150JZNDBAWL45 | 15pF 440VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C901U150JZNDBAWL45.pdf | |
![]() | FDS8949 | MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC | FDS8949.pdf | |
![]() | CDRH3D18NP-220NC | 22µH Shielded Inductor 600mA 424 mOhm Max Nonstandard | CDRH3D18NP-220NC.pdf | |
![]() | MCW0406MD6989BP100 | RES SMD 69.8 OHM 1/4W 0604 WIDE | MCW0406MD6989BP100.pdf | |
![]() | Y002810R0000B9L | RES 10 OHM 1W 0.1% AXIAL | Y002810R0000B9L.pdf | |
![]() | 54F539DC | 54F539DC TI CDIP | 54F539DC.pdf | |
![]() | K4T1G084QC-ZCF7 | K4T1G084QC-ZCF7 SAMSUNG FBGA60 | K4T1G084QC-ZCF7.pdf | |
![]() | AT25F512AN-2.7 | AT25F512AN-2.7 ATMEL SOP8 | AT25F512AN-2.7.pdf | |
![]() | 7025L55FB | 7025L55FB IDT SMD or Through Hole | 7025L55FB.pdf | |
![]() | SIC7305A01 | SIC7305A01 SAMSUNG SMD or Through Hole | SIC7305A01.pdf | |
![]() | SN75176C | SN75176C ST SOP8 | SN75176C.pdf |