창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBRTA800200R | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBRTA800150 thru MBRTA800200R | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 견적 필요 | |
다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 400A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 920mV @ 400A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5mA @ 200V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 3 타워형 | |
공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
표준 포장 | 18 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MBRTA800200R | |
관련 링크 | MBRTA80, MBRTA800200R 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | D120J20C0GHAAAC | 12pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.197" Dia(5.00mm) | D120J20C0GHAAAC.pdf | |
![]() | AA1206FR-0734K8L | RES SMD 34.8K OHM 1% 1/4W 1206 | AA1206FR-0734K8L.pdf | |
![]() | Y578737K2120T9L | RES 37.212K OHM 0.6W 0.01% RAD | Y578737K2120T9L.pdf | |
![]() | SD573V1.0 | SD573V1.0 ORIGINAL BGA | SD573V1.0.pdf | |
![]() | STBS09B | STBS09B EIC SMA | STBS09B.pdf | |
![]() | ATC600S220JT250T | ATC600S220JT250T ATC SMD or Through Hole | ATC600S220JT250T.pdf | |
![]() | CY7C10410V33-10ZXC | CY7C10410V33-10ZXC CYPRESS SMD or Through Hole | CY7C10410V33-10ZXC.pdf | |
![]() | HD74AC244TELL | HD74AC244TELL HITACHI TSSOP20 | HD74AC244TELL.pdf | |
![]() | MC74HC126AFEL | MC74HC126AFEL ORIGINAL SOP | MC74HC126AFEL.pdf | |
![]() | SM02B-BHSS-2-TB(LF)(SN) | SM02B-BHSS-2-TB(LF)(SN) JST 2P | SM02B-BHSS-2-TB(LF)(SN).pdf | |
![]() | MAX354EJE | MAX354EJE MAX DIP | MAX354EJE.pdf | |
![]() | N8T14F | N8T14F Sig DIP-16 | N8T14F.pdf |